Компания NEO Semiconductor объявила, что ее технология 3D X-DRAM успешно прошла проверку концепции. Данное событие доказывает возможность производства нового класса памяти DRAM высокой плотности с использованием существующей инфраструктуры 3D NAND. Одновременно компания сообщила о новых стратегических инвестициях под руководством Стэна Ши, основателя компании Acer и члена совета директоров TSMC на протяжении более 20 лет.
В основе анонса лежит технология 3D X-DRAM. Данный класс памяти призван преодолеть традиционные ограничения масштабирования за счет вертикальной архитектуры. Разработка нацелена на повышение плотности, снижение энергопотребления и лучшую совместимость с рабочими нагрузками искусственного интеллекта. Архитектура во многом опирается на методы производства 3D NAND. По заявлениям представителей компании, тестовые чипы были созданы с применением зрелых процессов 3D NAND, включая существующее оборудование и материалы. Важным аспектом выступает то, что главным препятствием в создании передовой памяти чаще всего является стоимость производства, а не инновационный дизайн.
Тестовые чипы были изготовлены и проверены в Тайваньском научно-исследовательском институте полупроводников. Результаты продемонстрировали задержку чтения и записи менее 10 наносекунд. Сохранение данных составило более 1 секунды при температуре 85 градусов Цельсия, что означает улучшение в 15 раз по сравнению со стандартом JEDEC. Выносливость памяти превысила 100 трлн циклов.
Основатель и генеральный директор NEO Semiconductor Энди Хсу прокомментировал достижение: Эти результаты подтверждают новый путь масштабирования DRAM. Он отметил, что технология обеспечит значительно более высокую плотность, снижение затрат и повышение энергоэффективности. За счет применения устоявшихся процессов производства 3D NAND компания планирует быстрее вывести 3D DRAM на рынок.
На сегодняшний день рабочие нагрузки искусственного интеллекта создают растущее давление на системы памяти. Широкое распространение получила память HBM, представляющая собой вертикально сложенную архитектуру DRAM. Однако производство HBM требует сложной сборки и высоких затрат. В отличие от нее, 3D X-DRAM строится в виде монолитной вертикальной структуры, где слои создаются как часть самого массива памяти, а не путем укладки отдельных готовых кристаллов. Хотя устройство успешно прошло строгие оценки надежности, пока речь идет о проверке концепции, а не о готовом к массовому производству чипе. Переход от валидации до коммерческих объемов требует времени, но применение устоявшихся процессов 3D NAND дает технологии высокие шансы на реализацию.
